可先用万用表的电阻档（数字式万用表的二极管档、指针式万用表R*100或R*1档），辨别丈量R、S、T 3个电源端子对+、—端子之间的电阻值，其他驱动器直流回路正、负端标注为P、N，翻开呆板外壳后在主电路或电路板上可找到丈量点。别的，直流回路的储能电容是个比力显眼的元件，由R、S、T端子间接搭接储能电容的正、负极举行电阻丈量，也比力利便。

      R、S、T 3个电源端子对+、-端子之间的电阻值，反应了三相整流电路的优劣，而U、V、W 3个输入端子对+、—端子之前的电阻值，则能根本上反应IGBT模块的优劣。将整流和逆变输入电路简化一下，输出、输入端子与直流回路之间的丈量后果便会一览无余[yī lǎn wú yú]。

      VD1~VD6为输出三相整流电路，R为充电电阻，KM为充电打仗器。C1、C2为串联储能电容。VD7~VD12为三相逆变电路中6只二极管。IGBT除非在泄电和短路形态能没出电阻变革，对逆变输入电路凯发能实践测出的只是6只二极管的正、反电阻值。如许一来，整个驱动器主电路的输出整流和输入逆变电路，相称于两个三相桥式整流电路。

     用数字式万用表丈量二极管，将R、S、T搭接红表笔，P(+)端搭接黑表笔，测得的是整流二极管VD1、VD3、VD5的正向压降，为0.5V左右，数值表现为540；如将表笔反接，则所测压降为无量大。如用指针式万用表，黑表笔搭接R、S、T端，红表笔搭接P(+)端，则表现7KR正向电阻；表笔反接，则表现数百KR。因充电电阻的阻值一样平常很小，如图3-1所示电路，仅为几欧，小功率机型为几十欧，丈量中可将其疏忽不计。但测其R、P1正向电阻正常，而R、P(+)之间正向电阻无量大（或间接丈量KM常开触头之间电阻为无量大），则为充电电阻曾经开路了。

      整流电路中VD2、VD4、VD6及U、V、W端子对P(+)、N(-)端子之间的丈量，也只能经过丈量外部二极管的正反向电阻的状况来大抵判断IGBT的优劣。

       必要阐明的是，桥式整流电路用的是低频整流二极管模块，正向压降和正向电阻较大，同于一样平常硅整流二极管。而IGBT上反向并联的6只二极管是调解二极管，正向压降和正向电阻较小，正向压降为0.35V左右，指针式万用表丈量正向电阻为4KR左右。

     以上说到对端子电阻的丈量只是大抵判断IGBT的优劣，尚不克不及最初认定IGBT便是好的，浅易丈量后，就对客户说，输入模块是好的，会给本人带来极大的主动，IGBT的优劣还需进一步丈量验证。怎样检测IGBT的优劣，得起首从IGBT的布局原理动手，找到响应无效的丈量办法，如图以是为IGBT等效电路和单、双管模块引脚图。

    场效应晶体管有开关速率快、电压控制容易的好处，但也有导通压降大以电压与电流容量小的缺陷。而双极型器件恰好有与其相反的特点，如电流控制容易、导通压降小，功率容量大等，两者复合，正所谓上风互补。IGBT或IGBT模块的由来，即基于此。从布局上看，相似于凯发都早已熟习的复合大管，输入管为一只PNP型晶体管，而鼓励管是一只场效应晶体管，后者的漏极电流构成了前者的基极电流，缩小才能是两管之积。

      单、又管模块常在功率机型中失掉使用。大功率机型将其并联作用，以到达扩流的目标，下图为单机模块，将整流与逆变电路集成于一体。别的，有的一体化（集成式）模块，将制动单位和温度检测电路也集成在内。

    对主电路丈量办法有两种，即在线丈量和脱机丈量。

1：在线丈量

   1）上述丈量方法是仅从输出、输入端子对直流回路之间来举行的，是在线丈量办法的一种，对整流电路的开路与短路妨碍则较分明，但对逆变电路还需进一步在线丈量以判别优劣。

   2）翻开驱动器外壳，将CPU主板和驱动板两块电路板取出，间接丈量逆变模块的G1、E1和G2、E2之间的触发轫子电阻，都应无量大。假如驱动板未取下，模块与驱动电路相毗连的，则G1、E1触发轫子之间每每并接有10KR电阻（大功率机型3KR左右),则正反电阻值均为10KR。有了正反电阻值的偏向，在扫除驱动电路的缘故原由后，则证明逆变模块曾经破坏。

    3）触发轫子的电阻丈量也正常，一样平常状况下以为逆变模块根本上是好的，但此时不克不及宣布该模块相对没有题目。

2：脱机丈量

   1）此法常用于大功率单、双管和新购进一体驱动模块的丈量。

       将单、又管模块脱开电路后,可接纳丈量场效应晶体管（MOS、FET）的办法来测试该模块。MOSFET的栅-阴极间有一个结电容存在，由此决议了极高的输出阻抗和电荷坚持功效。关于IGBT，存在一个G、E极间的结电容和C、E极之间的布局电容，使用其G、E极之间的结电容的充电、电荷坚持、放电特征，可无效检测IGBT的优劣。

       办法是将指针式万用表拨到R*10K档，黑表笔接C极，红表笔接E极，此时所丈量电阻值近无量大；搭好表笔不动，用手指将C极与G极碰一下并拿开，指示由无量大阻值降为200KR左右；过一、二十秒钟后，再测一下C、E极间电阻，仍能维持200KR左右的电阻稳定；搭好表笔不动，用手指短接一下G、E极，C、E极之间的电阻又重新变为靠近无量大。

     实践上，用手指碰一下C、G极，是经人体电阻给栅、阴结电容充电，拿开手指后，因而电容无放电回路，故电容上的电荷能坚持一段工夫。此电容上的充电电压，为正向鼓励电压，使IGBT呈现微导通，C、E极之间的电阻减小；第二次用手指G、E极时，提供了电容的放电通路，随着电荷的泄放，IGBT的鼓励电压消散，管子变为停止，C、E极之间的电阻又趋于无量大。手指相称于一个阻值为数KR级的电阻，提供栅阴极结电容充、放电的通路；因IGBT的导通需较高的正向鼓励电压（10V以上），以是利用指针式万用表R*10K档（此档位外部电池供电为9V或12V），以满意IGBT鼓励电压的幅度。指针式万用表的电阻档，黑表笔接外部电池的正极，红表笔接外部电池的负极，因此黑表笔为正，红表笔为负。这种丈量办法只能接纳指针式万用表。

      对触发轫子的丈量，还可以共同电容表测其容量，以增长判别的正确度。每每功率容量大的模块，两头子间的电容值的电容值也稍大。

2）上面为双管模块CM100DU-24H和SKM75GB128DE及集成式模块FP25R12KE3,用MF47C指针式万用表的R*10K档丈量出的数据。

 CM200Y-24模块：主端子C1,C2,E1,E2;触发轫子G1,E1,G2,E2;触发后C、E极间电阻为250KR；用电容表200NF档丈量触发轫子电容为36.7NF,反测为50NF。

  SKM75GB128DE模块：主端子同上，触发后C、E极间电阻为250KR；触发轫子电容：正测为4.1NF，反测为12.3NF。

 FP25R12KE3集成模块：也可接纳上述办法，触发后为C、E极间电阻为200KR左右；触发轫子电容正测为6.9NF,反测为10.1NF.

  脱机丈量得出的后果，根本上可判断IGBT的优劣，但仍不是相对的。

  在线丈量或脱机丈量之后的上电丈量，才干最初确定模块的优劣。上电后先空载丈量三相输入电压，此中不含直流身分，三相电压均衡后，再带上肯定负载，一样平常到达5A以上负载电路，逆变模块导通、内阻变大的妨碍便能表露出来。